已投项目快讯-华太电子荣获“2021-2022中国IGBT创新奖

02/01/2022

近日,由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院等部门主办的2022世界半导体大会隆重举行。兴和已投企业华太电子凭借多年在功率器件技术领域深耕多项技术指标达到国际领先,荣获“2021-2022中国IGBT创新奖”。

华太电子掌握功率器件和模块的核心设计、工艺及封装技术。拥有高鲁棒性且高性价比的先进Super IGBT结构技术,可提供优越的通态损耗和开关损耗性能与高可靠性, 提高逆变器功率密度。华太Super IGBT技术开关损耗低,工作频率高;在提高开关速度的同时保持低通态压降,多项技术指标国际领先,已量产发货。

华太电子于2010年在苏州成立,是射频大功率芯片领域国内唯一实现在全球领先电信设备公司量产发货、全产业链国产化的本土供应商。项目自有大功率封测线,是国内唯一空腔塑封技术,高端散热和封装材料国内隐形冠军。创始团队为中科院半导体所、纳米所,北京大学、西安交通大学的器件物理专家和半导体工艺专家。